EPFL科学家将两种优电子属性-eqone和molybdenite-合并成闪存原型,从性能、大小、弹性和耗能方面看都大有希望。信用:EPFL
EPFL科学家合并单层MOS2带图形化搭建闪存原型信息存储
EPFL科学家将两种优电子属性-eqone和molybdenite-合并成闪存原型,从性能、大小、弹性和耗能方面看都大有希望。
后芯片后,我们现在有闪存物,这是电子应用中使用新材料向前迈出的重要一步。消息更令人印象深刻,因为EPFL纳米电子结构实验室(LANES)的科学家提出了真正原创思想:他们把半导素和另一种惊人材料-石墨的优缺点综合在一起。
研究结果最近发布于杂志ACS南.
MS2/Graphene异构内存布局三维图解存储器基于单层MS2单层MES2半导体通道异构内存单元图解、石墨接触器和多层图解网格浮动门MLG浮门由稀疏二氧化物隔开1NM Al2O3+6NMHfO2并用厚屏蔽氧化物(1NMAL2O3+30NMHfO2)从控制门s2单层片段不同阶段制造的2个石墨/MOS2电流晶片左侧:单层MS2传输数组图文条,以氧化硅芯片为模式并接触金属导线(Cr/Au:10/50nm)中间线:同一种装置沉积二叉和MLG浮动门转移/编程右转:封闭氧化物沉降后最终装置并定义控门电极(Cr/Au:10/50nm)。比例条数3微米信用社Simone Bertolazzi等,ACS南欧DOI:10.1021/nn3059136
两年前LANES团队发现有前途的molybdenite电子属性2矿物质丰富性数月后,他们展示了建立高效芯片的可能性使用它开发闪存原型-即细胞不仅存储数据,而且在缺电时维护数据数字设备使用存储器类型,如相机、手机、笔记本电脑、打印机和USB密钥
理想电波带
内存模型综合微信独有电子特性2s解释 Andras Kis,LANES的作者兼主管
Molybdenite和Scapene有许多共同点两者预期都会超出我们当前硅芯片和电子晶体管的物理限制他们的二维化学结构-即它们由单层组成原子学厚度 — — 给他们巨大的微量化和机械弹性潜力
石墨比导体强,而molybdenite则有有利的半导体属性莫斯2电子结构中有一个理想的“电带”,石墨并不存在允许很容易从开机状态转换为停机状态,从而减少电量使用并用后两种素材可综合其独有的长处
像三明治
LANES开发晶体管原型设计使用“场效果”几何学,有点像三文治中间比硅薄层2通道电子电极下传电到MOS2层由石墨制成顶层科学家还包含由数层石墨组成元素捕捉电荷存储存储器
并用这些晶体管制作柔性纳米电子设备 Kis解释原型存储点内存 类似传统细胞科学家认为,由于薄度比硅稀疏,因此对充电敏感度更高,它为高效数据存储提供巨大潜力。
参考:非挥发性内存单元基于MOS2/GrapheneHetro结构学Simone Bertolazzi、Daria Krasnozhon和AndrasKis编译,2013年3月19日ACS南.
DOI:10.1021/nn3059136
位居优先评论EPFL创建内存单元