接触效果限制小纳米设备

面向电子机的碳纳米管不仅需要尽可能干净,以在下一代实现最大功用" data-gt-translate-attributes="[{"attribute":"data-cmtooltip", "format":"html"}]" tabindex="0" role="link">nanoscale斯旺西大学能源安全研究所研究者与赖斯大学研究者协作表示,接触效果可能会限制纳米装置小到多少新的研究出现在美国化学学会杂志Nano字母

ESRI主管Andrew Barron也是美国赖斯大学的教授,他的团队想通了如何清理纳米管以获取可复制电子测量数据,并在此过程中不仅解释了纳米管电特性历史上为何难以持续测量的原因,而且显示未来电子设备如何使用碳纳米管可能有限。

半导出纳米管同正常线一样,对延长流的抗药性渐增。多年来对纳米管的传导性测量完全一致ESRI团队想知道原因

人造电线并达不到期望值我们有兴趣判断其他研究者观察的变异背后的基本漏洞。”

发现难移动污染物-剩余铁催化剂、碳和水-很容易扭曲传导测试结果Barron说,烧掉它们为纳米电子学中的碳纳米管创造新可能性

研究者先制造多墙碳纳米管直径40至200纳米至30微米长或用argon离子轰炸表面净化

单纳米管测试方式与测试电导器相同:用两个探针触摸它们以观察流从一端传到二端以这个例子,他们的通斯腾探针附在扫描隧道显微镜上

净纳米管中,抗药性随距离增长逐步增强,并按常理探针碰到表层污染物时结果偏斜增加电场小点强度4微米内测量时 由污染物重叠引起的耗竭传导性区域 进一步分解结果

巴伦表示:「我们认为这就是文献中为何有这种前后不一的原因。”

纳米管为下一代轻量导体, 则电机和电源系统等设备需要一致性结果、批批处理和样本到样本

Annaling二百度以上真空中的纳米管摄氏度392度法赫宁海特减少表面污染,但不足以消除前后不一的结果,他们发现离子轰炸还清理管子,但导致缺陷增加,降低传导性

最终发现真空退火纳米管值500摄氏度(932法氏平面)减少污染足以精确测量抗药性,

巴伦说,目前使用纳米管纤维或薄膜的工程师通过用药或其他方法修改材料以获取导电特性但如果源纳米管已充分去染,则光靠将联系人放对点就能实现正确传导性

纳米管电子特性从导体转换为半导体, 原因是存在重叠耗竭区, Barron说, “这对纳米管电子设备规模有潜在的限制因素-这将限制摩尔对纳米管设备应用法律。”

引用:Chris J.巴奈特 CathrenEGowenlock、KathrynWelsby、AlvinOrbaek White和Andrew RBarron,2017年12月19日纳诺字母.
DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b03390